Транзистор ГТ806А

Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами

Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом